Guia docent Escola Tècnica Superior d'Enginyeria |
català |
Enginyeria i Tecnologia dels Sistemes Electrònics (2014) |
Assignatures |
DISPOSITIUS SEMICONDUCTORS AVANÇATS |
Continguts |
DADES IDENTIFICATIVES | 2016_17 |
Assignatura | DISPOSITIUS SEMICONDUCTORS AVANÇATS | Codi | 17675207 | |||||
Ensenyament |
|
Cicle | 2n | |||||
Descriptors | Crèd. | Tipus | Curs | Període | ||||
3 | Optativa | 2Q |
Competències | Resultats d'aprenentage | Continguts |
Planificació | Metodologies | Atenció personalitzada |
Avaluació | Fonts d'informació | Recomanacions |
Tema | Subtema |
1. Introducció | 1.1 Electrostàtica i transport de càrrega en els semiconductors 1.2 Simulació TCAD. Introducció a l'Atles 1.3 Eines d'automatització per a dispositius electrònics. Introducció a la codificació del model de dispositiu en Verilog-A2. |
2.Estructures MOSFET en escala nanomètrica | .1. Efectes de canal curt en MOSFETs 2.2. MOSFETs a escala nanomètrica en bulk 2.3 SOI MOSFETs 2.4 FinFETs i MOSFETs multi-porta |
3. Dispositius semiconductors avançats de potència | 3.1 Els transistors bipolars de porta aïllada (IGBT) 3.2. MOSFET de potència |
4. Dispositius amb semiconductors compostos | 4.1. Transistors bipolars d'heterounió (HBT) 4.2. Estructures avançades MESFET i HEMT. Dispositius de GaAs i GaN. |
5. Els transistors de pel lícula prima (TFT) | 5.1 TFT de silici amorf 5.2. Silici policristal lí TFT 5.3. TFT orgànics 5.4. TFT Òxid |
6. Dispositius post-CMOS | 6.1. FET Túnel 6.2. Transistor d'un sol electró 6.3. Els nanotubs de carboni i els transistors de grafè |