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Tipus A
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Codi |
Competències Específiques |
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Recerca |
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Tipus B
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Codi |
Competències Transversals |
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Recerca |
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Tipus C
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Codi |
Competències Nuclears |
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Recerca |
| Objectius |
Competències |
| Esta asignatura pretende que los alumnos obtengan una perspectiva de la evolución de la microelectrónica a la nanoelectrónica con especial atención a aplicaciones concretas a los nanosistemas, y en especial a los nanoelectromecánicos (NEMs). Los alumnos deben de ser capaces de identificar la evolución de los dispositivos elementales, por ejemplo el MOSFET, y su proyección de futuro; conocer cuáles son sus limitaciones y también conocer los dispositivos más importantes basados en los efectos cuánticos. En cuanto a los NEMs, estos aúnan funciones que les permiten la captación de información mediante dispositivos sensores, el procesado de la señal y la capacidad de actuación y control. Se pretende destacar cómo la reducción de escala de estos elementos ofrece nuevos paradigmas, y como la reducción de las dimensiones abre la posibilidad a nuevas propiedades y potencialidades. |
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| Tema |
Subtema |
| 1. Evolución de la microelectrónica. |
a. El circuito integrado y la microelectrónica
b. Evolución en complejidad de microprocesadores y memorias
c. Tecnologías submicrónicas |
| 2. Escalado de las tecnologías y MOSFETs de dimensiones nanométricas. |
a. Escalado del MOSFET. Efectos de canal corto
b. Tecnologías de fabricación y sus limitaciones |
| 3. Sistemas mesoscópicos y de baja dimensionalidad. |
a. Estructura de bandas y transporte en varias dimensiones
b. Fluctuaciones y efecto Aharonov-Bohm
c. Transporte balístico y fenómenos de bloqueo de Coulomb
d. Propiedades ópticas de sistemas de baja dimensionalidad |
| 4. Dispositivos basados en efectos cuánticos. |
a. Dispositivos de un electrón
b. Dispositivos basados en el efecto túnel resonante
c. LEDs y LASERs de pozos, hilos y puntos cuánticos |
| 5. De los sistemas MEMs a los NEMs. |
a. Bases de los sistemas NEMS: nanoelectromecánica
b. Nuevos efectos en los sistemas NEMS |
| 6. Nanopalancas y nanoresonadores. |
a. Fabricación y caracterización
b. Aplicaciones: procesado de señal y sensores de masa |
| Metodologies :: Proves |
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Competències |
(*) Hores a classe |
Hores fora de classe |
(**) Hores totals |
| Activitats Introductòries |
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0 |
0 |
0 |
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| Sessió Magistral |
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20 |
0 |
20 |
| Pràctiques a laboratoris |
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6 |
0 |
6 |
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| Atenció personalitzada |
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0 |
0 |
0 |
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(*) En el cas de docència no presencial, són les hores de treball amb suport vitual del professor.
(**) Les dades que apareixen a la taula de planificació són de caràcter orientatiu, considerant l’heterogeneïtat de l’alumnat |
Metodologies
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Descripció |
| Activitats Introductòries |
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| Sessió Magistral |
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| Pràctiques a laboratoris |
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Descripció |
Pes |
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Altres comentaris i segona convocatòria |
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| Bàsica |
M.J. Kelly, Low-dimensional semiconductors. Materials, Physics, Technology and Devices, Oxford Science Publications,
S.M. Sze (Ed.), Modern Semiconductor Device Physics, John Wiley and Sons,
S. Luryi, A. Zaslavsky (Eds.), Future Trends in Microelectronics: Reflections on the road to nanotechnology, Kluwer Editions,
S. Sugano, H. Koizumi, Mesoscopic Physics, Springer Verlag Series on Materials Science,
S.D. Senturia, Microsystem design, Kluwer Academic, 2001
M. Wilson et al., Nanotechnology: basic science and emerging technologies, Chapman&Hall/CRC, 2002
A. N. Cleland, Foundations of nanomechanics: from solid-state theory to device applications, Springer Verlag, 2002
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| Complementària |
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| Altres comentaris |
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Los alumnos han de tener previamente conocimientos básicos de electrónica y dispositivos MOS. |
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