DADES IDENTIFICATIVES 2011_12
Assignatura (*) TECNOLOGIA ELECTRÒNICA I Codi 17091016
Ensenyament
Enginyeria Tècnica Industrial especialitat en Electrònica Industrial (2002)
Cicle 1r
Descriptors Crèd. Crèd. teoria Crèd. pràctics Tipus Curs Període Horaris i dates d'examen
4.5 3 1.5 Troncal Primer Segon
Modalitat i llengua d'impartició
Departament Eng. Electrònica, Elèctrica i Automàtica
Coordinador/a
CABRÉ RODON, ROGER
Adreça electrònica roger.cabre@urv.cat
Professors/es
CABRÉ RODON, ROGER
Web http://moodle.urv.net
Descripció general i informació rellevant Conèixer el funcionament i les característiques tècniques elementals dels principals components electrònics passius i dels dispositius actius. Conèixer els models circuitals bàsics dels components i dispositius electrònics. Introducció als àmbits d’aplicació d’aquests.
Com a conseqüència de l'extinció del pla d'estudi que estàs cursant, en aquesta assignatura només tindràs dret a examen. Per conèixer la data de realització de l'examen consulta a l'apartat d'horaris de les assignatures. En cas d'haver de sol·licitar convocatòria extraordinària recorda que per poder matricular aquest dret d'examen hauràs de presentar una sol·licitud a la secretaria del teu Campus/Centre.

Continguts
Tema Subtema
Introducció als semiconductors: Classificació dels materials. Materials conductors, semiconductors i aïllamts. Model de bandes d’energia i model d'enllaços. Portadors. Semiconductors intrínsecs i extrínsecs. Mecanismes de transport de càrrega. Generació i recombinació.
El díode: Principi de funcionament. Unió PN, conceptes bàsics. Díode ideal i real. Models simplificats. Díode Zener. Capacitats d'una unió PN. Models circuitals amb PSPICE. Resolució de circuits amb díodes. Aplicacions: rectificadors, retalladors, limitadors, estabilitzadors.
El Transistor bipolar de junció (BJT): Típus i principi de funcionament. Models d'Ebers-Moll d'injecció i de transport. Corbes característiques. Capacitats. Resolució de circuits. Obtenció de punts de treball. Models de petit senyal (pi i h). Models PSPICE. Circuits amplificadors amb bipolars. Guany de tensió, impedància d'entrada i de sortida.
Dispositius d’efecte de camp (FET): Típus i principis de funcionament. Corbes característiques. Dispositius reals. MOSFETs de buidament. El JFET. Resolució de circuits amb aquests dispositius. Capacitats paràssites. Obtenció de punts de treball. Models de petit senyal. Aplicacions senzilles: amplificadors, portes lògiques,.... Models PSPICE.
Fabricació de dispositius i circuits integrats: Obtenció del silici. Oxidació tèrmica. Fotolitografia. Introducció de dopants: difusió i implantació iònica. Creixement i deposició de capes. Muntatgfe i encapsulat del xip. Estructura i fabricació de tecnologies amb BJT i amb MOSFET.
Components passius: Resistors: tipus i característiques. Resistors variables. Condensadors: tipus i característiques. Inductàncies: tipus i característiques. Models circuitals.
Conductors Connectors i Circuits Impresos: Conductors i aïllants elementals. Fils i cables. Soldadura. Connectors i commutadors. Nocions bàsiques sobre plaques de circuit imprès.

Atenció personalitzada
Descripció
El professor mostrarà una actitud d'atenció individualitzada a aquell alumne que així li demani, per tal de preparar millor l'examen i l'assignatura.

Avaluació
 
Altres comentaris i segona convocatòria

Tant en primera com en segona convocatòria es realitzaran proves úniques finals de problemes, de la qual s'extraurà la nota de l'assignatura.


Fonts d'informació
Bàsica Roger Cabré Rodon, Manual d'electrònica bàsica i tecnologia electrònica, Cossetània edicions, 2004
Prat, L. et al., Circuitos y dispositivos electrónicos. Fundamentos de electrónica, UPC, 0

Complementària

(*)La Guia docent és el document on es visualitza la proposta acadèmica de la URV. Aquest document és públic i no es pot modificar, llevat de casos excepcionals revisats per l'òrgan competent/ o degudament revisats d'acord amb la normativa vigent