Tipus A
|
Codi |
Competències Específiques | | A10 |
Integrar nous nanomaterials i tecnologies en dispositius electrònics i optoelectrònics (competència de l'especialitat Microsistemes Electrònics).
|
Tipus B
|
Codi |
Competències Transversals | | B1 |
Aprendre a aprendre. |
| B2 |
Resoldre problemes complexos de forma efectiva. |
| B3 |
Aplicar el pensament crític, lògic i creatiu, demostrant capacitat d’innovació. |
| B4 |
Treballar de forma autònoma amb responsabilitat i iniciativa. |
| B6 |
Comunicar informació, idees, problemes i solucions de manera clara i efectiva en públic o en àmbits tècnics concrets. |
Tipus C
|
Codi |
Competències Nuclears | | C1 |
Dominar en un nivell intermedi una llengua estrangera, preferentment l’anglès. |
| C2 |
Utilitzar de manera avançada les tecnologies de la informació i la comunicació. |
| C3 |
Gestionar la informació i el coneixement. |
| C6 |
Definir i desenvolupar el projecte acadèmic i professional. |
Tipus A
|
Codi |
Resultats d'aprenentatge |
| A10 |
Descriu els diferents tipus de dispositius semiconductors avançats.
Descriu el funcionament, característiques i aplicacions actuals dels dispositius semiconductors avançats.
|
Tipus B
|
Codi |
Resultats d'aprenentatge |
| B1 |
Té una visió de conjunt de les diferents teories o metodologies d’una assignatura
Adopta autònomament les estratègies d’ aprenentatge en cada situació
| | B2 |
Troba la solució adequada
Elabora una estratègia realista per a resoldre el problema
| | B3 |
Identifica els resultats de la innovació
Té en compte a qui i com afecta la innovació
Analitza riscos i beneficis de la innovació
| | B4 |
Presenta resultats d’allò que s’ espera en la manera adequada d’ acord amb la bibliografia donada i en el temps previst
Decideix com gestiona i organitza el treball i el temps
| | B6 |
Redacta documents amb el format, contingut, estructura, correcció lingüística, registre adequats i il·lustra conceptes utilitzant correctament les convencions: formats, títols, peus, llegendes,...
Les seves presentacions estan degudament preparades, utilitzant estratègies per presentar i dur a terme les seves presentacions orals (ajuts audiovisuals, mirada, veu, gest, control de temps,...)
|
Tipus C
|
Codi |
Resultats d'aprenentatge |
| C1 |
Explica i justifica breument les seves opinions i projectes
Extreu el sentit general dels textos que contenen informació no rutinària dins d'un àmbit conegut
| | C2 |
Utilitza programari per a comunicació off-line: editors de textos, fulles de càlcul i presentacions digitals
| | C3 |
Localitza i accedeix a la informació de manera eficaç i eficient
Utilitza la informació comprenent les implicacions econòmiques, legals, socials i ètiques de l’ accés a la informació i el seu ús
| | C6 |
Identifica els propis interessos i motivacions acadèmico-professionals
Desenvolupa recursos i estratègies que li facilitin la transició al món laboral
|
Tema |
Subtema |
1. Introducció |
1.1 Electrostàtica i transport de càrrega en els semiconductors
1.2 Simulació TCAD. Introducció a l'Atles
1.3 Eines d'automatització per a dispositius electrònics. Introducció a la codificació del model de dispositiu en Verilog-A2.
|
2.Estructures MOSFET en escala nanomètrica |
.1. Efectes de canal curt en MOSFETs
2.2. MOSFETs a escala nanomètrica en bulk
2.3 SOI MOSFETs
2.4 FinFETs i MOSFETs multi-porta |
3. Dispositius semiconductors avançats de potència |
3.1 Els transistors bipolars de porta aïllada (IGBT)
3.2. MOSFET de potència |
4. Dispositius amb semiconductors compostos |
4.1. Transistors bipolars d'heterounió (HBT)
4.2. Estructures avançades MESFET i HEMT. Dispositius de GaAs i GaN. |
5. Els transistors de pel lícula prima (TFT) |
5.1 TFT de silici amorf
5.2. Silici policristal lí TFT
5.3. TFT orgànics
5.4. TFT Òxid |
6. Dispositius post-CMOS |
6.1. FET Túnel
6.2. Transistor d'un sol electró
6.3. Els nanotubs de carboni i els transistors de grafè
|
Metodologies :: Proves |
|
Competències |
(*) Hores a classe
|
Hores fora de classe
|
(**) Hores totals |
Activitats Introductòries |
|
0 |
0 |
0 |
Sessió Magistral |
|
15 |
22.5 |
37.5 |
Seminaris |
|
15 |
22.5 |
37.5 |
Atenció personalitzada |
|
0 |
0 |
0 |
|
|
(*) En el cas de docència no presencial, són les hores de treball amb suport vitual del professor. (**) Les dades que apareixen a la taula de planificació són de caràcter orientatiu, considerant l’heterogeneïtat de l’alumnat |
Metodologies
|
Descripció |
Activitats Introductòries |
|
Sessió Magistral |
Explicació oral detallada dels temes del curs |
Seminaris |
Seminaris sobre la demostració de la utilització d'eines de simulació dispositiu TCAD, codificació dispositiu en Verilog-A i resolució matemàtica de problemes sobre dispositius semiconductors avançats. |
Atenció personalitzada |
|
Descripció |
Es proposarà un curt projecte individual a cada estudiant. Durant la realització del seu projecte poden reunir-se periòdicament al professor per discutir sobre els dubtes i els resultats obtinguts. |
Metodologies |
Competències
|
Descripció |
Pes |
|
|
|
|
Sessió Magistral |
|
L'examen escrit consisteix en una prova de 10 preguntes i dos problemes que resoldre matemàticament |
30% (test: 15%; problems: 15%) |
Seminaris |
|
Curt projecte individual. L'estudiant més de presentar un informe per escrit i fer una presentació oral 10 minuts |
70% (report: 45%; oral presentation: 25%) |
Altres |
|
|
|
|
Altres comentaris i segona convocatòria |
Per aprovar l'assignatura, les puntuacions mínims són del 40% per a l'examen escrit, 50% per al projecte del curs, i el 50%, com a resultat total |
Bàsica |
|
|
Complementària |
|
T. A. Fjeldly T., Ytterdal T., and M. Shur
(1998) Introduction to Device
Modeling and Circuit Simulation, John Wiley & Sons, New York J. P. Colinge (2004).. Silicon-On-Insulator
Technology Materials
to VLSI, Springer S. D. Brotherton. (2013). Introduction to Thin Film Transistors.
Springer |
|
Altres comentaris |
Es recomana un coneixement bàsic del comportament dels MOSFET i BJT, així com del simulador de circuits SPICE |
(*)La Guia docent és el document on es visualitza la proposta acadèmica de la URV. Aquest document és públic i no es pot modificar, llevat de casos excepcionals revisats per l'òrgan competent/ o degudament revisats d'acord amb la normativa vigent |
|