|
Type A
|
Code |
Competences Specific | | | A10 |
Integrar nous nanomaterials i tecnologies en dispositius electrònics i optoelectrònics (competència de l'especialitat Microsistemes Electrònics).
|
|
Type B
|
Code |
Competences Transversal | | | B1 |
Aprendre a aprendre. |
| | B2 |
Resoldre problemes complexos de forma efectiva. |
| | B3 |
Aplicar el pensament crític, lògic i creatiu, demostrant capacitat d’innovació. |
| | B4 |
Treballar de forma autònoma amb responsabilitat i iniciativa. |
| | B6 |
Comunicar informació, idees, problemes i solucions de manera clara i efectiva en públic o en àmbits tècnics concrets. |
|
Type C
|
Code |
Competences Nuclear | | | C1 |
Dominar en un nivell intermedi una llengua estrangera, preferentment l’anglès. |
| | C2 |
Utilitzar de manera avançada les tecnologies de la informació i la comunicació. |
| | C3 |
Gestionar la informació i el coneixement. |
| | C6 |
Definir i desenvolupar el projecte acadèmic i professional. |
|
Type A
|
Code |
Learning outcomes |
| | A10 |
Descriu els diferents tipus de dispositius semiconductors avançats.
Descriu el funcionament, característiques i aplicacions actuals dels dispositius semiconductors avançats.
|
|
Type B
|
Code |
Learning outcomes |
| | B1 |
Té una visió de conjunt de les diferents teories o metodologies d’una assignatura
Adopta autònomament les estratègies d’ aprenentatge en cada situació
| | | B2 |
Troba la solució adequada
Elabora una estratègia realista per a resoldre el problema
| | | B3 |
Identifica els resultats de la innovació
Té en compte a qui i com afecta la innovació
Analitza riscos i beneficis de la innovació
| | | B4 |
Presenta resultats d’allò que s’ espera en la manera adequada d’ acord amb la bibliografia donada i en el temps previst
Decideix com gestiona i organitza el treball i el temps
| | | B6 |
Redacta documents amb el format, contingut, estructura, correcció lingüística, registre adequats i il·lustra conceptes utilitzant correctament les convencions: formats, títols, peus, llegendes,...
Les seves presentacions estan degudament preparades, utilitzant estratègies per presentar i dur a terme les seves presentacions orals (ajuts audiovisuals, mirada, veu, gest, control de temps,...)
|
|
Type C
|
Code |
Learning outcomes |
| | C1 |
Explica i justifica breument les seves opinions i projectes
Extreu el sentit general dels textos que contenen informació no rutinària dins d'un àmbit conegut
| | | C2 |
Utilitza programari per a comunicació off-line: editors de textos, fulles de càlcul i presentacions digitals
| | | C3 |
Localitza i accedeix a la informació de manera eficaç i eficient
Utilitza la informació comprenent les implicacions econòmiques, legals, socials i ètiques de l’ accés a la informació i el seu ús
| | | C6 |
Identifica els propis interessos i motivacions acadèmico-professionals
Desenvolupa recursos i estratègies que li facilitin la transició al món laboral
|
| Topic |
Sub-topic |
| 1. Introducció |
1.1 Electrostàtica i transport de càrrega en els semiconductors
1.2 Simulació TCAD. Introducció a l'Atles
1.3 Eines d'automatització per a dispositius electrònics. Introducció a la codificació del model de dispositiu en Verilog-A2.
|
| 2.Estructures MOSFET en escala nanomètrica |
.1. Efectes de canal curt en MOSFETs
2.2. MOSFETs a escala nanomètrica en bulk
2.3 SOI MOSFETs
2.4 FinFETs i MOSFETs multi-porta |
| 3. Dispositius semiconductors avançats de potència |
3.1 Els transistors bipolars de porta aïllada (IGBT)
3.2. MOSFET de potència |
| 4. Dispositius amb semiconductors compostos |
4.1. Transistors bipolars d'heterounió (HBT)
4.2. Estructures avançades MESFET i HEMT. Dispositius de GaAs i GaN. |
| 5. Els transistors de pel lícula prima (TFT) |
5.1 TFT de silici amorf
5.2. Silici policristal lí TFT
5.3. TFT orgànics
5.4. TFT Òxid |
| 6. Dispositius post-CMOS |
6.1. FET Túnel
6.2. Transistor d'un sol electró
6.3. Els nanotubs de carboni i els transistors de grafè
|
| Methodologies :: Tests |
| |
Competences |
(*) Class hours
|
Hours outside the classroom
|
(**) Total hours |
| Activitats Introductòries |
|
0 |
0 |
0 |
| Sessió Magistral |
|
15 |
22.5 |
37.5 |
| Seminaris |
|
15 |
22.5 |
37.5 |
| Atenció personalitzada |
|
0 |
0 |
0 |
| |
| |
(*) On e-learning, hours of virtual attendance of the teacher.
(**) The information in the planning table is for guidance only and does not take into account the heterogeneity of the students. |
Methodologies
| |
Description |
| Activitats Introductòries |
|
| Sessió Magistral |
Explicació oral detallada dels temes del curs |
| Seminaris |
Seminaris sobre la demostració de la utilització d'eines de simulació dispositiu TCAD, codificació dispositiu en Verilog-A i resolució matemàtica de problemes sobre dispositius semiconductors avançats. |
| Atenció personalitzada |
|
|
Description |
|
Es proposarà un curt projecte individual a cada estudiant. Durant la realització del seu projecte poden reunir-se periòdicament al professor per discutir sobre els dubtes i els resultats obtinguts. |
|
Methodologies |
Competences
|
Description |
Weight |
|
|
|
|
| Sessió Magistral |
|
L'examen escrit consisteix en una prova de 10 preguntes i dos problemes que resoldre matemàticament |
30% (test: 15%; problems: 15%) |
| Seminaris |
|
Curt projecte individual. L'estudiant més de presentar un informe per escrit i fer una presentació oral 10 minuts |
70% (report: 45%; oral presentation: 25%) |
| Others |
|
|
|
| |
|
Other comments and second exam session |
|
Per aprovar l'assignatura, les puntuacions mínims són del 40% per a l'examen escrit, 50% per al projecte del curs, i el 50%, com a resultat total |
| Bàsica |
|
|
| Complementària |
|
T. A. Fjeldly T., Ytterdal T., and M. Shur
(1998) Introduction to Device
Modeling and Circuit Simulation, John Wiley & Sons, New York J. P. Colinge (2004).. Silicon-On-Insulator
Technology Materials
to VLSI, Springer S. D. Brotherton. (2013). Introduction to Thin Film Transistors.
Springer |
| |
| Other comments |
|
Es recomana un coneixement bàsic del comportament dels MOSFET i BJT, així com del simulador de circuits SPICE |
(*)The teaching guide is the document in which the URV publishes the information about all its courses. It is a public document and cannot be modified. Only in exceptional cases can it be revised by the competent agent or duly revised so that it is in line with current legislation. |
|