DATOS IDENTIFICATIVOS 2019_20
Asignatura (*) NANOFABRICACIÓ I NANOPROCESSAT Código 20705206
Titulación
Nanociència, Materials i Processos: Tecnologia Química de Frontera (2013)
 Ciclo 2n
Descriptores Cr.totales Tipo Curso Periodo Horarios y datos del examen
4.5 Optativa Jul., Set.
Modalidad y lengua de impartición Ver grupos de trabajo
Departamento Enginyeria Química
Química Analítica i Química Orgànica
Química Física i Inorgànica
Coordinador/a
ANDRADE , FRANCISCO JAVIER
SOLÉ CARTAÑÀ, ROSA MARIA
PUJOL BAIGES, MARIA CINTA
MASONS BOSCH, JAIME
FRAGOSO SIERRA, ALEX
 Correo-e rosam.sole@urv.cat
mariacinta.pujol@urv.cat
jaume.masons@urv.cat
alex.fragoso@urv.cat
franciscojavier.andrade@urv.cat
Profesores/as
SOLÉ CARTAÑÀ, ROSA MARIA
PUJOL BAIGES, MARIA CINTA
MASONS BOSCH, JAIME
FRAGOSO SIERRA, ALEX
ANDRADE , FRANCISCO JAVIER
Web
Descripción general e información relevante L'objectiu general del curs és que els estudiants adquireixin el coneixement bàsic dels processos de fabricació amb una resolució en l'escala del nanòmetre i coneguin els seus principals àmbits d'ús, fent èmfasi en els avantatges i desavantatges de cada un d'ells.

Competències
Tipo A Código Competencias Específicas
 A1.1 Destacar en l'estudi i coneixement de l'àmbit de recerca triat: avaluar la importància cientificotècnica, el potencial tecnològic i la viabilitat de la nanociencia, dels materials, del seu disseny, la seva preparació, propietats, processos i desenvolupaments, tècniques i aplicacions.
Tipo B Código Competencias Transversales
 B1.1 Comunicar idees complexes de manera efectiva a tot tipus d’audiències.
 B3.1 Treballar en equip de forma col·laborativa, amb responsabilitat compartida en equips multidisciplinaris, multilingües i multiculturals i en entorns complexos.
 B3.2 Resoldre els conflictes de manera constructiva.
 B4.2 Desenvolupar habilitats per gestionar la carrera professional.
Tipo C Código Competencias Nucleares

Resultats d'aprenentage
Tipo A Código Resultados de aprendizaje
 A1.1 Formula el coneixement dels principis bàsics emprats en el camp de la nanofabricació i nanoprocesado, dels materials i de les tècniques principals que s'utilitzen en aquesta àrea.
Selecciona els mètodes de nanofabricació més adequats per resoldre problemes específics de la nanotecnologia.
Tipo B Código Resultados de aprendizaje
 B1.1 Intervé de forma efectiva i transmet informació rellevant.
Prepara i realitza presentacions estructurades complint amb els requisits exigits.
Planifica la comunicació: genera idees, busca informacions, selecciona i ordena la informació, fa esquemes, determina el tipus de públic i els objectius de la comunicació, ...
Redacta documents amb el format, contingut, estructura, correcció lingüística, registre adequats i il•lustra conceptes utilitzant correctament les convencions: formats, títols, peus, llegendes, ...
Utilitza estratègies per presentar i dur a terme les seves presentacions orals (ajuts audiovisuals, mirada, veu, gest, control de temps, ...).
Utilitza un llenguatge apropiat a la situació.
 B3.1 Participa de forma activa i comparteix informació, coneixement i experiències.
Porta a terme la seva aportació individual en el temps previst i amb els recursos disponibles.
Accepta i compleix les normes del grup.
Col • labora activament en la planificació del treball en equip, en la distribució de les tasques i terminis requerits.
 B3.2 Té en compte els punts de vista dels altres i retroalimenta de forma constructiva.
Facilita la gestió positiva de les diferències, desacords i conflictes que es produeixen a l'equip.
 B4.2 Identifica necessitats de formació.
Identifica els propis interessos i motivacions acadèmico-professionals
Tipo C Código Resultados de aprendizaje

Continguts
tema Subtema
Introducció. Introducció i conceptes preliminars.
Capítol 1. Tècniques de dipòsit i creixement.
Procés de creixement. Evaporació. Epitàxia de feixos moleculars. Polvorització catòdica. Dipòsit assistit per ions. Ablació amb làser. Dipòsit de fase química Dipòsit assistit mitjançant plasma. Mètode de dipòsit de Langmuir-Blodgett.
Capítol 2. Litografia ultraviolada i visible. Concepte de litografia òptica. Litografia òptica convencional. Resines. Instrumentació. La microelectrònica com la força impulsora de la miniaturització. Límits de la litografia òptica. Litografia òptica avançada.
Capítol 3. Litografia de feix d'electrons. Introducció a la litografia de feix d'electrons. Òptica amb electrons: Sistemes de litografia de feix d'electrons (Electron beam lithography, EBL). Les interaccions electrons-materials sòlids. Exposició: Resines. Efectes de proximitat. Tecnologia del procés. Aplicacions.
Capítol 4. Tecnologia de feix d'ions focalitzat. Interacció ió-sòlid. Polvorització i Redepòsit. Acanalament. Electrons secundaris. Feixos de ions focalitzats (FIB). Atac iònic i atac iònic assistit per gas. Dipòsit per gas assistit per ions. Sistemes FIB d'un sol feix i de doble feix. Litografia per feix d'ions. Nanomanipulació. Aplicacions.
Capítol 5. Tècniques litogràfiques no convencionals I: tècniques de AFM. Litografies basades en microscopies de camp proper: Introducció a la microscòpia de sonda de rastreig. Resum dels mètodes litogràfics de sonda de rastreig. Manipulació atòmica (STM). La manipulació dels objectes i les molècules. Indentació / repositori local. Nanolitografia d'oxidació local. Dispensat local de líquids i molècules (incloent Dip Pen nanolithography). Nanofabricació en paral•lel.
Capítol 6. Tècniques litogràfiques no convencionals II: impressió, estampat, litografies suaus. Litografies d'estampat. Termoplàstics: temperatura de transició vítria. Estampat en calent i nanoimpressió. Curat de termoplàstics mitjançant llum ultraviolada. Replicat. Litografies suaus
Capítol 7. Processament de capes. Gravat mitjançant química seca i humida. Processos de lift-off. Gravat reactiu i assistit mitjançant plasma. Gravat iònic.
Capítol 8. Processos de fabricació global. Fabricació d'estructures complexes utilitzant les tècniques descrites en els temes anteriors. Proposta d'alternatives i complementarietat de tècniques.

Planificació
Metodologías  ::  Pruebas
  Competencias (*) Horas en clase
 Horas fuera de clase
 (**) Horas totales
Activitats Introductòries
1 0 1
Sessió Magistral
A1.1
B4.2
 25 50 75
Presentacions / exposicions
B1.1
 4 4 8
Atenció personalitzada
3 4.5 7.5
 
Proves de desenvolupament
A1.1
 6 12 18
Proves pràctiques
A1.1
 1 2 3
 
(*) En el caso de docencia no presencial, serán las horas de trabajo con soporte virtual del profesor.
(**) Los datos que aparecen en la tabla de planificación son de carácter orientativo, considerando la heterogeneidad de los alumnos

Metodologies
Metodologías
  descripción
Activitats Introductòries Una sessió introductòria per tal de proporcionar una visió general de l'assignatura i el seu paper en el marc de la nanociència i la nanotecnologia.
Sessió Magistral Sessions cobrint els principis bàsics, modes d’operació, aplicacions i limitacions fonamentals de les tècniques de nanofabricació i nanoprocessat
Presentacions / exposicions Els estudiants es dividiran en grups i cada grup durà a terme una exposició oral sobre el treball que han desenvolupat durant el curs.
Atenció personalitzada Reunions amb els estudiants, ja sigui de forma individual o grupal, per tal de millorar el seu rendiment.

Atenció personalitzada
descripción
Els professors de l'assignatura estaran disponibles per aclarir dubtes. Es recomana contactar per email prèviament. Dr. Alex Fragoso (coordinador de l'assignatura). Dpt. Enginyeria Química, despatx 318 (edifici ETSEQ), e-mail: alex.fragoso@urv.cat. Dra. Rosa Maria Solé, Dept. Química Física i Inorgànica, depatx 216 (Facultat de Química), e-mail: rosam.sole@urv.cat. Dr. Jaume Massons, Dept. Química Física i Inorgànica, despatx 225 (Facultat de Química), e-mail jaume.massons@urv.cat. Dra. Maria Cinta Pujol, Dept. Química Física i Inorgànica, Lab.213 (Facultat de Química), e-mail mariacinta.pujol@urv.cat Dr. Francisco Javier Andrade, Dept. Química Analítica i Química Orgànica, despatx 312 (Facultat de Química), e-mail: franciscojavier.andrade@urv.cat.

Avaluació
Metodologías Competencias descripción Peso        
Presentacions / exposicions
B1.1
 Els estudiants es dividiran en grups i cada grup durà a terme una exposició oral sobre el treball que han desenvolupat durant el curs. 20%
Proves pràctiques
A1.1
 Prova integradora de conceptes (capítol 8: Processos de fabricació global) 20%
Proves de desenvolupament
A1.1
 Es faran tres proves parcials durant el curs sobre els capitols 1-3, 4/5 i 6/7. Cadascuna tindrà un pes del 20% de la nota final. 60%
Otros  
 
Otros comentarios y segunda convocatoria

Durant les proves avaluatives, els telèfons mòbils, tablets i altres aparells alectrònics que no siguin expressament autoritzats per la prova, han d'estar apagats i fora de la vista. En segona convocatòria es mantindrà la nota de presentacions i prova integradora (40%) i es farà un examen escrit dels continguts de l'assignatura (60%).


Fonts d'informació

Bàsica M.J. Madou , Fundamentals of microfabrication: the science of miniaturization. , CRC Press , 2002
B. Bushan et al. , Springer Handbook of Nanotechnology , Springer, 2006
J.N. Helbert, Handbook of VLSI Microlithography - Principles, Tools, Technology and Applications. , William Andrew Publishing/Noyes , 2001
H.S. Nalwa (editor) , Encyclopedia of nanoscience and nanotechnology , American Scientific Publishers , 2004
Z. Cui , Micro-Nanofabrication: Technology and Applications , Springer Verlag , 2006
M. Ohring , Materials Science of Thin Films , Academic Press , 2002
J.A. Venables , Introduction to Surface and Thin Film Processes , Cambridge University Press , 2001

Complementària

Journals in the field of Nanotechnology

Applied Physics and Chemical Synthesis

Proceedings of conferences in the field of the subject

Recomanacions

Asignaturas que se recomienda cursar simultáneamente
PROCESSOS EN SALA BLANCA/20705207

(*)La Guía docente es el documento donde se visualiza la propuesta académica de la URV. Este documento es público y no es modificable, excepto en casos excepcionales revisados por el órgano competente o debidamente revisado de acuerdo la normativa vigente.