|
Tipo A
|
Código |
Competencias Específicas | | | CE2 |
Establir connexions entre conceptes, eines i problemes relacionats de les matemàtiques, la física i l'enginyeria. |
| | CE4 |
Interpretar les bases i estar en condicions d'aprofundir en alguns temes avançats de matemàtiques i de física d'interès pràctic industrial i per a l'enginyeria. |
| | CE5 |
Entendre, desenvolupar i analitzar models quantitatius per a problemes d'enginyeria. |
| | CE10 |
Resoldre problemes de mecànica, termodinàmica, fluids, ones, electromagnetisme i física quàntica, i la seva aplicació a problemes d'enginyeria. |
|
Tipo B
|
Código |
Competencias Transversales | | | CT1 |
Utilitzar informació en llengua estrangera d'una manera eficaç. |
| | CT3 |
Resoldre problemes de forma crítica, creativa i innovadora en el seu àmbit d'estudi.
|
| | CT5 |
Comunicar informació de forma clara i precisa a audiències diverses. |
|
Tipo C
|
Código |
Competencias Nucleares |
|
Tipo A
|
Código |
Resultados de aprendizaje |
| | CE2 |
Analitza circuits amb díodes
Coneix la física dels dispositius d'efecte camp amb especial èmfasi en els MOSFET i entén la importància pràctica d'aquests dispositius
Dilucida el funcionament de les diferents tecnologies i nanotecnologies de MOSFET actuals: SOI-MOS, DG-MOS, FinFET, HEMT, VDMOS, junctionless, MOS d'efecte túnel
Treballa amb la característica ideal simple de l'MOSFET (model Schichman-Hodges) per analitzar circuits elèctrics amb MOSFET
Analitza els diagrames de bandes de les heterojuncions
Explora els dispositius de material amorf inorgànic
Explora els dispositius de material orgànic
Descobreix altres dispositius interessants de potència com IGBT i tiristors
Sap obtenir els models per díodes i transistors, linealitzats al voltant d'un punt de treball
Aplica el teorema de superposició per a l'anàlisi de circuits en corrent continu i corrent altern (petit senyal)
| | | CE4 |
Explora els dispositius de material amorf inorgànic
Explora els dispositius de material orgànic
| | | CE5 |
Descobreix els models circuitals i els models compactes dels dispositius MOS per treballar amb les característiques més realistes dels dispositius nanomètrics
| | | CE10 |
Coneix succintament la teoria de bandes com a fonament dels materials semiconductors, conductors i aïllants, i entén la seva relació amb la física de dispositius electrònics
Comprèn la física de les unions PN i Schottky i el seu interès en l'enginyeria electrònica
Coneix la física dels dispositius d'efecte camp amb especial èmfasi en els MOSFET i entén la importància pràctica d'aquests dispositius
|
|
Tipo B
|
Código |
Resultados de aprendizaje |
| | CT1 |
Utilitza informació en llengua estrangera d'una manera clara i eficaç
| | | CT3 |
Identifica la situació plantejada com un problema en l'àmbit de la disciplina i té la motivació per afrontar
Segueix un mètode sistemàtic per dividir el problema en parts, identifica les causes i aplica els coneixements propis de la disciplina
Dissenya una solució nova utilitzant els recursos necessaris per afrontar el problema
Inclou els aspectes concrets de la solució proposada en un model realista
Reflexiona sobre el model proposat i és capaç de trobar limitacions i proposar millores
| | | CT5 |
Produeix un text de qualitat, sense errors gramaticals i ortogràfics, amb una presentació formal acurada i un ús adequat i coherent de les convencions formals i bibliogràfiques
Construeix un text estructurat, clar, cohesionat, ric i d'extensió adequada
Elabora un text adequat a la situació comunicativa, consistent i persuasiu
Usa els mecanismes de comunicació no verbal i els recursos expressius de la veu necessaris per fer una bona intervenció oral
Construeix un discurs estructurat, clar, cohesionat, ric i d'extensió adequada
Produeix un discurs adequat a la situació comunicativa, consistent i persuasiu, i interactua de manera efectiva amb l'auditori
|
|
Tipo C
|
Código |
Resultados de aprendizaje |
| tema |
Subtema |
| Semiconductores |
|
| Unió pn |
|
| Díodes |
|
| Transistor bipolar |
|
| Transistor MOS |
|
| Transistors d'heterounió |
|
| Transistors TFT |
|
| Metodologías :: Pruebas |
| |
Competencias |
(*) Horas en clase
|
Horas fuera de clase
|
(**) Horas totales |
| Activitats Introductòries |
|
1 |
0 |
1 |
| Sessió Magistral |
|
14 |
14 |
28 |
| Classe invertida (Flipped classroom) |
|
14 |
14 |
28 |
| Pràctiques a través de TIC en aules informàtiques |
|
20 |
40 |
60 |
| Resolució de problemes, exercicis a l'aula ordinària |
|
10 |
19 |
29 |
| Atenció personalitzada |
|
1 |
0 |
1 |
| |
| Proves mixtes |
|
2 |
0 |
2 |
| Proves pràctiques |
|
1 |
0 |
1 |
| |
(*) En el caso de docencia no presencial, serán las horas de trabajo con soporte virtual del profesor.
(**) Los datos que aparecen en la tabla de planificación son de carácter orientativo, considerando la heterogeneidad de los alumnos |
Metodologías
| |
descripción |
| Activitats Introductòries |
Activitats Introductòries |
| Sessió Magistral |
Sessió Magistral |
| Classe invertida (Flipped classroom) |
Classe invertida (Flipped classroom) |
| Pràctiques a través de TIC en aules informàtiques |
Pràctiques a través de TIC en aules informàtiques |
| Resolució de problemes, exercicis a l'aula ordinària |
Resolució de problemes, exercicis a l'aula ordinària |
| Atenció personalitzada |
Atenció personalitzada |
|
descripción |
|
Els estudiants poden consultar individualment amb el professor. Els
horaris són flexibles, però els estudiants han de concertar una cita
prèvia amb el professor (per correu electrònic). |
|
Metodologías |
Competencias
|
descripción |
Peso |
|
|
|
|
| Proves mixtes |
|
|
25% -75% |
| Proves pràctiques |
|
|
25%- 75% |
| Otros |
|
|
|
| |
|
Otros comentarios y segunda convocatoria |
|
|
| Bàsica |
|
Bibliografia Bàsica: J. P. Colinge, C. A. Colinge, “Physics of Semiconductor Devices” Springer, New York, 2002, 2007 (en línia) Bibliografia Complementària M. Rudan, “Physics of Semiconductor Devices” SpringerLink e-Books, 2018 S. M. Sze, K. K. Ng, “Physics of Semiconductor Devices” John Wiley & Sons, 2007 |
| Complementària |
|
|
| Asignaturas que se recomienda haber cursado previamente |
| FÍSICA QUÀNTICA/17274108 | | FÍSICA DE L'ESTAT SÒLID I SUPERFÍCIES/17274115 | | MECÀNICA ESTADÍSTICA/17274116 |
|
(*)La Guía docente es el documento donde se visualiza la propuesta académica de la URV. Este documento es público y no es modificable, excepto en casos excepcionales revisados por el órgano competente o debidamente revisado de acuerdo la normativa vigente. |
|