IDENTIFYING DATA 2023_24
Subject (*) ELECTRÒNICA FÍSICA Code 17274117
Study programme
Grau en Enginyeria Matemàtica i Física (2021)
Cycle 1r
Descriptors Credits Type Year Period Exam timetables and dates
6 Obligatòria Tercer 2Q
Modality and teaching language
Department Eng. Electrònica, Elèctrica i Automàtica
Coordinator
IÑIGUEZ NICOLAU, BENJAMIN
E-mail benjamin.iniguez@urv.cat
Lecturers
IÑIGUEZ NICOLAU, BENJAMIN
Web http://https://campusvirtual.urv.cat/local/alternatelogin/index.php
General description and relevant information

Competències
Type A Code Competences Specific
 CE2 Establir connexions entre conceptes, eines i problemes relacionats de les matemàtiques, la física i l'enginyeria.
 CE4 Interpretar les bases i estar en condicions d'aprofundir en alguns temes avançats de matemàtiques i de física d'interès pràctic industrial i per a l'enginyeria.
 CE5 Entendre, desenvolupar i analitzar models quantitatius per a problemes d'enginyeria.
 CE10 Resoldre problemes de mecànica, termodinàmica, fluids, ones, electromagnetisme i física quàntica, i la seva aplicació a problemes d'enginyeria.
Type B Code Competences Transversal
 CT1 Utilitzar informació en llengua estrangera d'una manera eficaç.
 CT3 Resoldre problemes de forma crítica, creativa i innovadora en el seu àmbit d'estudi.
 CT5 Comunicar informació de forma clara i precisa a audiències diverses.
Type C Code Competences Nuclear

Resultats d'aprenentage
Type A Code Learning outcomes
 CE2 Analitza circuits amb díodes
Coneix la física dels dispositius d'efecte camp amb especial èmfasi en els MOSFET i entén la importància pràctica d'aquests dispositius
Dilucida el funcionament de les diferents tecnologies i nanotecnologies de MOSFET actuals: SOI-MOS, DG-MOS, FinFET, HEMT, VDMOS, junctionless, MOS d'efecte túnel
Treballa amb la característica ideal simple de l'MOSFET (model Schichman-Hodges) per analitzar circuits elèctrics amb MOSFET
Analitza els diagrames de bandes de les heterojuncions
Explora els dispositius de material amorf inorgànic
Explora els dispositius de material orgànic
Descobreix altres dispositius interessants de potència com IGBT i tiristors
Sap obtenir els models per díodes i transistors, linealitzats al voltant d'un punt de treball
Aplica el teorema de superposició per a l'anàlisi de circuits en corrent continu i corrent altern (petit senyal)
 CE4 Explora els dispositius de material amorf inorgànic
Explora els dispositius de material orgànic
 CE5 Descobreix els models circuitals i els models compactes dels dispositius MOS per treballar amb les característiques més realistes dels dispositius nanomètrics
 CE10 Coneix succintament la teoria de bandes com a fonament dels materials semiconductors, conductors i aïllants, i entén la seva relació amb la física de dispositius electrònics
Comprèn la física de les unions PN i Schottky i el seu interès en l'enginyeria electrònica
Coneix la física dels dispositius d'efecte camp amb especial èmfasi en els MOSFET i entén la importància pràctica d'aquests dispositius
Type B Code Learning outcomes
 CT1 Utilitza informació en llengua estrangera d'una manera clara i eficaç
 CT3 Identifica la situació plantejada com un problema en l'àmbit de la disciplina i té la motivació per afrontar
Segueix un mètode sistemàtic per dividir el problema en parts, identifica les causes i aplica els coneixements propis de la disciplina
Dissenya una solució nova utilitzant els recursos necessaris per afrontar el problema
Inclou els aspectes concrets de la solució proposada en un model realista
Reflexiona sobre el model proposat i és capaç de trobar limitacions i proposar millores
 CT5 Produeix un text de qualitat, sense errors gramaticals i ortogràfics, amb una presentació formal acurada i un ús adequat i coherent de les convencions formals i bibliogràfiques
Construeix un text estructurat, clar, cohesionat, ric i d'extensió adequada
Elabora un text adequat a la situació comunicativa, consistent i persuasiu
Usa els mecanismes de comunicació no verbal i els recursos expressius de la veu necessaris per fer una bona intervenció oral
Construeix un discurs estructurat, clar, cohesionat, ric i d'extensió adequada
Produeix un discurs adequat a la situació comunicativa, consistent i persuasiu, i interactua de manera efectiva amb l'auditori
Type C Code Learning outcomes

Continguts
Topic Sub-topic
Semiconductores
Unió pn
Díodes
Transistor bipolar
Transistor MOS
Transistors d'heterounió
Transistors TFT

Planificació
Methodologies  ::  Tests
  Competences (*) Class hours
Hours outside the classroom
(**) Total hours
Activitats Introductòries
1 0 1
Sessió Magistral
CE2
CE4
CE5
14 14 28
Classe invertida (Flipped classroom)
CE2
CE4
14 14 28
Pràctiques a través de TIC en aules informàtiques
CE2
CE4
CT3
20 40 60
Resolució de problemes, exercicis a l'aula ordinària
CE2
CE4
CE5
CE10
CT1
10 19 29
Atenció personalitzada
1 0 1
 
Proves mixtes
CE2
CE4
CE5
2 0 2
Proves pràctiques
CE2
CE4
CE5
CE10
CT1
CT3
CT5
1 0 1
 
(*) On e-learning, hours of virtual attendance of the teacher.
(**) The information in the planning table is for guidance only and does not take into account the heterogeneity of the students.

Metodologies
Methodologies
  Description
Activitats Introductòries Activitats Introductòries
Sessió Magistral Sessió Magistral
Classe invertida (Flipped classroom) Classe invertida (Flipped classroom)
Pràctiques a través de TIC en aules informàtiques Pràctiques a través de TIC en aules informàtiques
Resolució de problemes, exercicis a l'aula ordinària Resolució de problemes, exercicis a l'aula ordinària
Atenció personalitzada Atenció personalitzada

Atenció personalitzada
Description

Els estudiants poden consultar individualment amb el professor. Els horaris són flexibles, però els estudiants han de concertar una cita prèvia amb el professor (per correu electrònic).


Avaluació
Methodologies Competences Description Weight        
Proves mixtes
CE2
CE4
CE5
25% -75%
Proves pràctiques
CE2
CE4
CE5
CE10
CT1
CT3
CT5
25%- 75%
Others  
 
Other comments and second exam session

Fonts d'informació

Bàsica

Bibliografia Bàsica:

J. P. Colinge, C. A. Colinge, “Physics of Semiconductor Devices” Springer, New York, 2002, 2007 (en línia)

Bibliografia Complementària

M. Rudan, “Physics of Semiconductor Devices” SpringerLink e-Books, 2018 

S. M. Sze, K. K. Ng, “Physics of Semiconductor Devices” John Wiley & Sons, 2007

Complementària

Recomanacions


Subjects that it is recommended to have taken before
FÍSICA QUÀNTICA/17274108
FÍSICA DE L'ESTAT SÒLID I SUPERFÍCIES/17274115
MECÀNICA ESTADÍSTICA/17274116
(*)The teaching guide is the document in which the URV publishes the information about all its courses. It is a public document and cannot be modified. Only in exceptional cases can it be revised by the competent agent or duly revised so that it is in line with current legislation.