Type A
|
Code |
Competences Specific | | CE2 |
Establir connexions entre conceptes, eines i problemes relacionats de les matemàtiques, la física i l'enginyeria. |
| CE4 |
Interpretar les bases i estar en condicions d'aprofundir en alguns temes avançats de matemàtiques i de física d'interès pràctic industrial i per a l'enginyeria. |
| CE5 |
Entendre, desenvolupar i analitzar models quantitatius per a problemes d'enginyeria. |
| CE10 |
Resoldre problemes de mecànica, termodinàmica, fluids, ones, electromagnetisme i física quàntica, i la seva aplicació a problemes d'enginyeria. |
Type B
|
Code |
Competences Transversal | | CT1 |
Utilitzar informació en llengua estrangera d'una manera eficaç. |
| CT3 |
Resoldre problemes de forma crítica, creativa i innovadora en el seu àmbit d'estudi.
|
| CT5 |
Comunicar informació de forma clara i precisa a audiències diverses. |
Type C
|
Code |
Competences Nuclear |
Type A
|
Code |
Learning outcomes |
| CE2 |
Analitza circuits amb díodes
Coneix la física dels dispositius d'efecte camp amb especial èmfasi en els MOSFET i entén la importància pràctica d'aquests dispositius
Dilucida el funcionament de les diferents tecnologies i nanotecnologies de MOSFET actuals: SOI-MOS, DG-MOS, FinFET, HEMT, VDMOS, junctionless, MOS d'efecte túnel
Treballa amb la característica ideal simple de l'MOSFET (model Schichman-Hodges) per analitzar circuits elèctrics amb MOSFET
Analitza els diagrames de bandes de les heterojuncions
Explora els dispositius de material amorf inorgànic
Explora els dispositius de material orgànic
Descobreix altres dispositius interessants de potència com IGBT i tiristors
Sap obtenir els models per díodes i transistors, linealitzats al voltant d'un punt de treball
Aplica el teorema de superposició per a l'anàlisi de circuits en corrent continu i corrent altern (petit senyal)
| | CE4 |
Explora els dispositius de material amorf inorgànic
Explora els dispositius de material orgànic
| | CE5 |
Descobreix els models circuitals i els models compactes dels dispositius MOS per treballar amb les característiques més realistes dels dispositius nanomètrics
| | CE10 |
Coneix succintament la teoria de bandes com a fonament dels materials semiconductors, conductors i aïllants, i entén la seva relació amb la física de dispositius electrònics
Comprèn la física de les unions PN i Schottky i el seu interès en l'enginyeria electrònica
Coneix la física dels dispositius d'efecte camp amb especial èmfasi en els MOSFET i entén la importància pràctica d'aquests dispositius
|
Type B
|
Code |
Learning outcomes |
| CT1 |
Utilitza informació en llengua estrangera d'una manera clara i eficaç
| | CT3 |
Identifica la situació plantejada com un problema en l'àmbit de la disciplina i té la motivació per afrontar
Segueix un mètode sistemàtic per dividir el problema en parts, identifica les causes i aplica els coneixements propis de la disciplina
Dissenya una solució nova utilitzant els recursos necessaris per afrontar el problema
Inclou els aspectes concrets de la solució proposada en un model realista
Reflexiona sobre el model proposat i és capaç de trobar limitacions i proposar millores
| | CT5 |
Produeix un text de qualitat, sense errors gramaticals i ortogràfics, amb una presentació formal acurada i un ús adequat i coherent de les convencions formals i bibliogràfiques
Construeix un text estructurat, clar, cohesionat, ric i d'extensió adequada
Elabora un text adequat a la situació comunicativa, consistent i persuasiu
Usa els mecanismes de comunicació no verbal i els recursos expressius de la veu necessaris per fer una bona intervenció oral
Construeix un discurs estructurat, clar, cohesionat, ric i d'extensió adequada
Produeix un discurs adequat a la situació comunicativa, consistent i persuasiu, i interactua de manera efectiva amb l'auditori
|
Type C
|
Code |
Learning outcomes |
Topic |
Sub-topic |
Semiconductores |
|
Unió pn |
|
Díodes |
|
Transistor bipolar |
|
Transistor MOS |
|
Transistors d'heterounió |
|
Transistors TFT |
|
Methodologies :: Tests |
|
Competences |
(*) Class hours
|
Hours outside the classroom
|
(**) Total hours |
Activitats Introductòries |
|
1 |
0 |
1 |
Sessió Magistral |
|
14 |
14 |
28 |
Classe invertida (Flipped classroom) |
|
14 |
14 |
28 |
Pràctiques a través de TIC en aules informàtiques |
|
20 |
40 |
60 |
Resolució de problemes, exercicis a l'aula ordinària |
|
10 |
19 |
29 |
Atenció personalitzada |
|
1 |
0 |
1 |
|
Proves mixtes |
|
2 |
0 |
2 |
Proves pràctiques |
|
1 |
0 |
1 |
|
(*) On e-learning, hours of virtual attendance of the teacher. (**) The information in the planning table is for guidance only and does not take into account the heterogeneity of the students. |
Methodologies
|
Description |
Activitats Introductòries |
Activitats Introductòries |
Sessió Magistral |
Sessió Magistral |
Classe invertida (Flipped classroom) |
Classe invertida (Flipped classroom) |
Pràctiques a través de TIC en aules informàtiques |
Pràctiques a través de TIC en aules informàtiques |
Resolució de problemes, exercicis a l'aula ordinària |
Resolució de problemes, exercicis a l'aula ordinària |
Atenció personalitzada |
Atenció personalitzada |
Description |
Els estudiants poden consultar individualment amb el professor. Els
horaris són flexibles, però els estudiants han de concertar una cita
prèvia amb el professor (per correu electrònic). |
Methodologies |
Competences
|
Description |
Weight |
|
|
|
|
Proves mixtes |
|
|
25% -75% |
Proves pràctiques |
|
|
25%- 75% |
Others |
|
|
|
|
Other comments and second exam session |
|
Bàsica |
|
Bibliografia Bàsica: J. P. Colinge, C. A. Colinge, “Physics of Semiconductor Devices” Springer, New York, 2002, 2007 (en línia) Bibliografia Complementària M. Rudan, “Physics of Semiconductor Devices” SpringerLink e-Books, 2018 S. M. Sze, K. K. Ng, “Physics of Semiconductor Devices” John Wiley & Sons, 2007 |
Complementària |
|
|
Subjects that it is recommended to have taken before |
FÍSICA QUÀNTICA/17274108 | FÍSICA DE L'ESTAT SÒLID I SUPERFÍCIES/17274115 | MECÀNICA ESTADÍSTICA/17274116 |
|
(*)The teaching guide is the document in which the URV publishes the information about all its courses. It is a public document and cannot be modified. Only in exceptional cases can it be revised by the competent agent or duly revised so that it is in line with current legislation. |
|