DADES IDENTIFICATIVES 2012_13
Assignatura (*) MODE D'OPERACIÓ RF EN DISPOSITIUS I CIRCUITS INTEGRATS Codi 17605209
Ensenyament
Enginyeria Electrònica (2010)
Cicle 2n
Descriptors Crèd. Tipus Curs Període
4 Optativa Únic anual
Llengua d'impartició
Català
Departament Eng. Electrònica, Elèctrica i Automàtica
Coordinador/a
IÑIGUEZ NICOLAU, BENJAMIN
Adreça electrònica lluis.marsal@urv.cat
benjamin.iniguez@urv.cat
Professors/es
MARSAL GARVI, LUIS FRANCISCO
IÑIGUEZ NICOLAU, BENJAMIN
Web
Descripció general i informació rellevant Course on the high frequency operation mode in semiconductor devices and integrated circuits. The high frequency effects on devices and circuits are studied. Besides, some basic circuit designs for high frequency operation are explained.

Competències
Tipus A Codi Competències Específiques
  Professionalitzador
  Recerca
  AR1 Conèixer els processos de disseny, fabricació i verificació de sistemes microelectrònics en general i sistemes MEMS o amb sensors en particular.
  AR2 Entendre les especificacions d'un sistema electrònic amb dispositius semiconductors, sensosr i/o MEMS.
Tipus B Codi Competències Transversals
  Comú
  BC1 Creativitat. Desenvolupar idees i projectes originals
  BC2 Treballar autònomament amb iniciativa
  BC4 Resoldre problemes de manera efectiva
  BC6 Actuar amb un esperit crític i responsable
  BC14 Planificació i organització
Tipus C Codi Competències Nuclears
  Comú
  CC2 Ús de les eines específiques de TIC per al desenvolupament professional derivat del curs de postgrau.
  CC3 Desenvolupament d’una perspectiva global del món en l’àrea específica on s’ubica el postgrau

Objectius d'aprenentatge
Objectius Competències
To know the key parameters in high frequency electronics AR2
To study non quasi-static effects in semiconductor devices and integrated circuits AR1
AR2
CC3
To study basic circuit designs for high frequency operation AR1
AR2
To carry out a project regarding the simulation of an electronic system in high frequency BC1
BC2
BC4
BC6
BC14
CC2

Continguts
Tema Subtema
Introduction
RF and microwave operation Definition of the RF and microwave operation modes

Main key parameters

Modulation and detection


Semiconductor devices in the high frequency operation mode pn diodes and varactors

pin diodes

Tunnel diodes

Schottky diodes

Gunn diodes

IMPATT diodes

Heterojunction Bipolar Transistors

Compound semiconductor transistors: MESFETs and HEMTs.

MOS transistors

SOI MOS transistors

High frequency noise in semiconductor devices

Design of RF and microwave circuits Reflexion amplifiers

Oscillators

Parametric amplifiers

Mixers

Power amplifiers

Planificació
Metodologies  ::  Proves
  Competències (*) Hores a classe Hores fora de classe (**) Hores totals
Activitats Introductòries
2 0 2
 
Sessió Magistral
28 0 28
Seminaris
6 0 6
Presentacions / exposicions
0 6 6
Treballs
0 42 42
 
Atenció personalitzada
10 0 10
 
Proves de desenvolupament
0 6 6
 
(*) En el cas de docència no presencial, són les hores de treball amb suport vitual del professor.
(**) Les dades que apareixen a la taula de planificació són de caràcter orientatiu, considerant l’heterogeneïtat de l’alumnat

Metodologies
Metodologies
  Descripció
Activitats Introductòries Introduction to the course
Sessió Magistral Lectures explaining the subject
Seminaris Seminars given by visiting researchers from time to time
Presentacions / exposicions Presentations of the projects carried out by the students
Treballs Projects focused on the simulation of electronic systems at high frequency. Carried out individually by the students
Atenció personalitzada

Atenció personalitzada
 
Sessió Magistral
Descripció
Availability to explain personally to students possible doubts and questions they may have

Avaluació
  Descripció Pes
Treballs Individual projects carried out by students 80% of the mark
Proves de desenvolupament Oral presentation of the individual project 20% of the mark
 
Altres comentaris i segona convocatòria

Fonts d'informació

Bàsica • W. Alan Davis and Krishna K. Agarwal, Radio Frequency Circuit Design, ", Wiley Series in Microwave and Optical Engineering, Kai Chang. Series Editor, 2001
• Thomas R. Turlington, Behavioral Modeling of Nonlinear RF and Microwave Devices, Artech House Publishers., Boston. London. 2001
, , ,
Thomas H. Lee, The Design of CMOS Radio-Frequency Integrated Circuits, Cambridge University Press, 2nd Edition, Cambridge. 2004

Complementària S. R. Pennock and P. R. Shepherd, Microwave Engineering with Wireless Applications, McGraw-Hill, 1998

Recomanacions


(*)La Guia docent és el document on es visualitza la proposta acadèmica de la URV. Aquest document és públic i no es pot modificar, llevat de casos excepcionals revisats per l'òrgan competent/ o degudament revisats d'acord amb la normativa vigent