|
Tipus A
|
Codi |
Competències Específiques | | | A5 |
Conèixer les tecnologies pròpies de la fabricació de microsistemes.
|
|
Tipus B
|
Codi |
Competències Transversals | | | B2 |
Resoldre problemes complexos de forma efectiva. |
| | B4 |
Treballar de forma autònoma amb responsabilitat i iniciativa. |
|
Tipus C
|
Codi |
Competències Nuclears | | | C1 |
Dominar en un nivell intermedi una llengua estrangera, preferentment l’anglès. |
| | C2 |
Utilitzar de manera avançada les tecnologies de la informació i la comunicació. |
| | C4 |
Expressar-se correctament de manera oral i escrita en una de les dues llengües oficials de la URV. |
|
Tipus A
|
Codi |
Resultats d'aprenentatge |
| | A5 |
Descriu el concepte de sistemes micro-electro-mecànics (MEMS).
Compara i valora els processos tecnològics utilitzats en la fabricació de circuits integrats i MEMS.
Descriu algunes implementacions físiques de dispositius bàsics (unió PN, BJT, MOS) i entén el seu funcionament.
Argumenta la influència de la implementació física en el comportament del dispositiu.
|
|
Tipus B
|
Codi |
Resultats d'aprenentatge |
| | B2 |
Troba la solució adequada
Elabora una estratègia realista per a resoldre el problema
| | | B4 |
Decideix com gestiona i organitza el treball i el temps
|
|
Tipus C
|
Codi |
Resultats d'aprenentatge |
| | C1 |
Extreu el sentit general dels textos que contenen informació no rutinària dins d'un àmbit conegut
| | | C2 |
Utilitza programari per a comunicació off-line: editors de textos, fulles de càlcul i presentacions digitals
| | | C4 |
Produeix un text oral adequat a la situació comunicativa
|
| Tema |
Subtema |
Fonaments de semiconductors.
Substrats microelectrònics |
Concepte de semiconductor. Cas del Silici
Diagrames de bandes i estructura cristal·lina
Portadors de Càrrega (generació/recombinació)
Semiconductors intrínsecs i extrínsecs
Corrents en un semiconductor. Eq de continuïtat
Oblies |
| Processos Tecnològic bàsics en microelectrònica |
Processos Energètics (Oxidació i dopat)
Processos de deposició (PVD, CVD, Epitàxia)
Fotolitografia |
| La unió PN |
Distribució de càrregues. Camp elèctric i potencial d'unió
Polarització
Equació d'un díode.
Díode Schottcky |
| Transistor bipolar d'unions |
Funcionament bàsic. Model d'Eber-Moll
Efectes de 2nd ordre (Camp elèctric induït a la base, Efecte Early, Ruptura de la unió)
Topologies |
| Transistor MOSFET |
Funcionament bàsic
Diagrama de bandes
Tensió Llindar
Equacions de funcionament
Topologia
|
| MEM's |
Concepte
Exemples
Tecnologies associades |
| Metodologies :: Proves |
| |
Competències |
(*) Hores a classe
|
Hores fora de classe
|
(**) Hores totals |
| Activitats Introductòries |
|
1 |
0 |
1 |
| Presentacions / exposicions |
|
2 |
0 |
2 |
| Sessió Magistral |
|
26 |
45 |
71 |
| Treballs |
|
8 |
15 |
23 |
| Atenció personalitzada |
|
1 |
0 |
1 |
| |
| Proves objectives de preguntes curtes |
|
2 |
0 |
2 |
| |
(*) En el cas de docència no presencial, són les hores de treball amb suport vitual del professor.
(**) Les dades que apareixen a la taula de planificació són de caràcter orientatiu, considerant l’heterogeneïtat de l’alumnat |
Metodologies
| |
Descripció |
| Activitats Introductòries |
Es repassaran les metodologies a emprar en l'assignatura, els continguts, els objectius d’aprenentatge, els mètodes d'avaluació i la bibliografia de referència. |
| Presentacions / exposicions |
Els estudiants hauran de presentar individualment els resultats dels treballs que realitzaran durant el curs davant dels seus companys. |
| Sessió Magistral |
S’exposaran els continguts teòrics de l'assignatura, així com exemples representatius. |
| Treballs |
Es proposarà a cada estudiant o a grups de 2 estudiants que defineixin i simulin els processos per aconseguir determinats dispositius, tot simulant posteriorment el funcionament del dispositiu. |
| Atenció personalitzada |
Els alumnes podran resoldre els dubtes que els hi apareguin de forma individual en el despatx del professor corresponent. |
|
Descripció |
|
Els alumnes podran resoldre els dubtes que els apareguin, tant en el seguiment de les classes magistrals com en la realització dels treballs proposats presentant-se dins l'horari de consultes, al despatx dels professors que es facin càrrec de l'assignatura. |
|
Metodologies |
Competències
|
Descripció |
Pes |
|
|
|
|
| Presentacions / exposicions |
|
Els estudiants realitzaran una presentació oral dels treballs realitzats durant el curs davant dels seus companys. S’avaluarà l’ordre, la claredat, la correcció i les capacitats de l’estudiant de comunicar els resultats obtinguts. |
20 % |
| Treballs |
|
Els estudiants hauran d’elaborar memòries escrites sobre els treballs que realitzaran durant el curs. Les memòries hauran de contenir una introducció al treball realitzat amb els fonaments teòrics necessaris, una descripció dels objectius del treball, un informe dels resultats obtinguts i unes conclusions. S’avaluarà l’ordre, la claredat, la correcció i la capacitat de produir un text adequat a les necessitats comunicatives. |
35 % |
| Proves objectives de preguntes curtes |
|
Es durà a terme una prova/examen consistent en la resolució de qüestions curtes que impliquin la demostració de les competències adquirides per l’estudiant relacionades amb l’assignatura. |
45 % |
| Altres |
|
|
|
| |
|
Altres comentaris i segona convocatòria |
|
OBSERVACIONS: Durant les proves tipus test, els alumnes no podran disposar ni utilitzar cap dispositiu de comunicació ni amb capacitat de transmissió de dades. En cas de no superar l'avaluació continua, els alumnes disposaran d'una segona convocatòria que consistirà en un examen de preguntes curtes. |
| Bàsica |
Stephen A. Campbell, Fabrication Engineering at the Micro and Nanoscale, 3a Edició, Oxford University Press, 2008
K.F. Brennan, Introduction to semiconductor devices. For computing and telecommunications applications, , Cambridge University Press, 2005
|
|
| Complementària |
|
|
| Assignatures que en continuen el temari |
| DISPOSITIUS SEMICONDUCTORS AVANÇATS/17675207 | | DISPOSITIUS OPTOELECTRÒNICS I DE RADIOFREQÜÈNCIA/17675209 |
|
| Assignatures que es recomana cursar simultàniament |
| MICROSISTEMES I NANOSISTEMES SENSORS/17675210 |
|
(*)La Guia docent és el document on es visualitza la proposta acadèmica de la URV. Aquest document és públic i no es pot modificar, llevat de casos excepcionals revisats per l'òrgan competent/ o degudament revisats d'acord amb la normativa vigent |
|