DADES IDENTIFICATIVES

2016_17

Assignatura (*)

DISPOSITIUS SEMICONDUCTORS AVANÇATS

Codi

17675207

Ensenyament

Enginyeria i Tecnologia dels Sistemes Electrònics (2014)

Cicle

Descriptors

Crèd.

Tipus

Curs

Període

Optativa

Llengua d'impartició

Anglès

Departament

Eng. Electrònica, Elèctrica i Automàtica

Coordinador/a

IÑIGUEZ NICOLAU, BENJAMIN

Adreça electrònica

Professors/es

Web

Descripció general i informació rellevant

Aquest curs té per objectius els dispositius semiconductors avançats i emergents, que recentment han començar a ser utilitzats en aplicacions comercials, o que s'espera que siguin aplicables als productes comercials en els propers anys. A partir de la física que regeix el comportament dels dispositius, el seu funcionament és estudiat, així com el seu rendiment en els circuits integrats. En particular, el curs s'adreça a dispositius per nanoelectonica, així com a electrònica d'alta freqüència, d'alta potència i de gran àrea: SOI MOSFERTs, MOSFETs multi-Gate, GaN HEMT, TFT.

Competències

Tipus A	Codi	Competències Específiques
	A10	Integrar nous nanomaterials i tecnologies en dispositius electrònics i optoelectrònics (competència de l'especialitat Microsistemes Electrònics).
Tipus B	Codi	Competències Transversals
	B1	Aprendre a aprendre.
	B2	Resoldre problemes complexos de forma efectiva.
	B3	Aplicar el pensament crític, lògic i creatiu, demostrant capacitat d’innovació.
	B4	Treballar de forma autònoma amb responsabilitat i iniciativa.
	B6	Comunicar informació, idees, problemes i solucions de manera clara i efectiva en públic o en àmbits tècnics concrets.
Tipus C	Codi	Competències Nuclears
	C1	Dominar en un nivell intermedi una llengua estrangera, preferentment l’anglès.
	C2	Utilitzar de manera avançada les tecnologies de la informació i la comunicació.
	C3	Gestionar la informació i el coneixement.
	C6	Definir i desenvolupar el projecte acadèmic i professional.

Resultats d'aprenentage

Tipus A	Codi	Resultats d'aprenentatge
	A10	Descriu els diferents tipus de dispositius semiconductors avançats. Descriu el funcionament, característiques i aplicacions actuals dels dispositius semiconductors avançats.
Tipus B	Codi	Resultats d'aprenentatge
	B1	Té una visió de conjunt de les diferents teories o metodologies d’una assignatura Adopta autònomament les estratègies d’ aprenentatge en cada situació
	B2	Troba la solució adequada Elabora una estratègia realista per a resoldre el problema
	B3	Identifica els resultats de la innovació Té en compte a qui i com afecta la innovació Analitza riscos i beneficis de la innovació
	B4	Presenta resultats d’allò que s’ espera en la manera adequada d’ acord amb la bibliografia donada i en el temps previst Decideix com gestiona i organitza el treball i el temps
	B6	Redacta documents amb el format, contingut, estructura, correcció lingüística, registre adequats i il·lustra conceptes utilitzant correctament les convencions: formats, títols, peus, llegendes,... Les seves presentacions estan degudament preparades, utilitzant estratègies per presentar i dur a terme les seves presentacions orals (ajuts audiovisuals, mirada, veu, gest, control de temps,...)
Tipus C	Codi	Resultats d'aprenentatge
	C1	Explica i justifica breument les seves opinions i projectes Extreu el sentit general dels textos que contenen informació no rutinària dins d'un àmbit conegut
	C2	Utilitza programari per a comunicació off-line: editors de textos, fulles de càlcul i presentacions digitals
	C3	Localitza i accedeix a la informació de manera eficaç i eficient Utilitza la informació comprenent les implicacions econòmiques, legals, socials i ètiques de l’ accés a la informació i el seu ús
	C6	Identifica els propis interessos i motivacions acadèmico-professionals Desenvolupa recursos i estratègies que li facilitin la transició al món laboral

Continguts

Tema	Subtema
1. Introducció	1.1 Electrostàtica i transport de càrrega en els semiconductors 1.2 Simulació TCAD. Introducció a l'Atles 1.3 Eines d'automatització per a dispositius electrònics. Introducció a la codificació del model de dispositiu en Verilog-A2.
2.Estructures MOSFET en escala nanomètrica	.1. Efectes de canal curt en MOSFETs 2.2. MOSFETs a escala nanomètrica en bulk 2.3 SOI MOSFETs 2.4 FinFETs i MOSFETs multi-porta
3. Dispositius semiconductors avançats de potència	3.1 Els transistors bipolars de porta aïllada (IGBT) 3.2. MOSFET de potència
4. Dispositius amb semiconductors compostos	4.1. Transistors bipolars d'heterounió (HBT) 4.2. Estructures avançades MESFET i HEMT. Dispositius de GaAs i GaN.
5. Els transistors de pel lícula prima (TFT)	5.1 TFT de silici amorf 5.2. Silici policristal lí TFT 5.3. TFT orgànics 5.4. TFT Òxid
6. Dispositius post-CMOS	6.1. FET Túnel 6.2. Transistor d'un sol electró 6.3. Els nanotubs de carboni i els transistors de grafè

Planificació

Metodologies :: Proves

Competències

(*) Hores a classe

Hores fora de classe

(**) Hores totals

Activitats Introductòries

Sessió Magistral

A10

22.5

37.5

Seminaris

A10

22.5

37.5

Atenció personalitzada

(*) En el cas de docència no presencial, són les hores de treball amb suport vitual del professor.
(**) Les dades que apareixen a la taula de planificació són de caràcter orientatiu, considerant l’heterogeneïtat de l’alumnat

Metodologies

Metodologies

	Descripció
Activitats Introductòries
Sessió Magistral	Explicació oral detallada dels temes del curs
Seminaris	Seminaris sobre la demostració de la utilització d'eines de simulació dispositiu TCAD, codificació dispositiu en Verilog-A i resolució matemàtica de problemes sobre dispositius semiconductors avançats.
Atenció personalitzada

Atenció personalitzada

Descripció

Es proposarà un curt projecte individual a cada estudiant. Durant la realització del seu projecte poden reunir-se periòdicament al professor per discutir sobre els dubtes i els resultats obtinguts.

Avaluació

Metodologies

Competències

Descripció

Pes

Sessió Magistral

A10

L'examen escrit consisteix en una prova de 10 preguntes i dos problemes que resoldre matemàticament

30% (test: 15%; problems: 15%)

Seminaris

A10

Curt projecte individual. L'estudiant més de presentar un informe per escrit i fer una presentació oral 10 minuts

70% (report: 45%; oral presentation: 25%)

Altres


Altres comentaris i segona convocatòria
Per aprovar l'assignatura, les puntuacions mínims són del 40% per a l'examen escrit, 50% per al projecte del curs, i el 50%, com a resultat total

Fonts d'informació

Bàsica

Complementària
	T. A. Fjeldly T., Ytterdal T., and M. Shur (1998) Introduction to Device Modeling and Circuit Simulation, John Wiley & Sons, New York J. P. Colinge (2004).. Silicon-On-Insulator Technology Materials to VLSI, Springer S. D. Brotherton. (2013). Introduction to Thin Film Transistors. Springer

Recomanacions


Altres comentaris
Es recomana un coneixement bàsic del comportament dels MOSFET i BJT, així com del simulador de circuits SPICE

(*)La Guia docent és el document on es visualitza la proposta acadèmica de la URV. Aquest document és públic i no es pot modificar, llevat de casos excepcionals revisats per l'òrgan competent/ o degudament revisats d'acord amb la normativa vigent