Tipus A
|
Codi |
Competències Específiques |
|
Professionalitzador |
|
Recerca |
|
AR3 |
Aplicar les tècniques bàsiques de modelització de circuits electrònics de potència. |
|
AR10 |
Validar les especificacions d'un sistema MEMS. |
Tipus B
|
Codi |
Competències Transversals |
|
Comú |
|
BC1 |
Creativitat. Desenvolupar idees i projectes originals |
|
BC2 |
Treballar autònomament amb iniciativa |
|
BC4 |
Resoldre problemes de manera efectiva |
|
BC6 |
Actuar amb un esperit crític i responsable |
|
BC11 |
Treballar en equip i gestionar equips |
|
BC13 |
Aprendre a aprendre |
Tipus C
|
Codi |
Competències Nuclears |
|
Comú |
|
CC1 |
Domini de l’expressió i la comprensió del/s idioma/es estrangers per al desenvolupament professional derivat del curs del postgrau. |
|
CC2 |
Ús de les eines específiques de TIC per al desenvolupament professional derivat del curs de postgrau. |
|
CC4 |
Desenvolupament d’habilitats informacionals |
|
CC5 |
Gestió del temps per al desenvolupament acadèmic i professional |
Objectius |
Competències |
Familiaritzar l'alumne amb tècniques estàndars de caracterització morfològica, microestructural i composicional de materials per a usos electrònics i també de materials d'us científic en general (inorgànics). |
AR3 AR10
|
BC1 BC4 BC6 BC13
|
|
Fer un us pràctic d'equipaments de caracterització durant el curs. |
|
BC1 BC2 BC6 BC13
|
CC1 CC2 CC4
|
Aprendre a resoldre exercicis al voltant d'exemples amb espectres i imatges de caracterització. |
|
BC1 BC2 BC4
|
CC5
|
Fer un treball de caracterització d'un cas real usant tècniques apreses durant el curs. |
|
BC2 BC4 BC11 BC13
|
CC1 CC4 CC5
|
Tema |
Subtema |
Caracterització elèctrica |
Mètode de les 4 puntes.
'Spreading resistance' (2 puntes)
Mesures de capacitat en materials electrònics
Efecte Hall
Magnetoresistència
DLTS |
Caracterització per difracció |
Introducció a la cristal·lografia
Bases matemàtiques i físiques de la difracció, per raigs X.
Tècniques de difracció de monocristall per raigs-X
Tècniques de difracció de policristall per raigs-X. Textures.
Tècniques d'incidència rasant.
Introducció a la difracció d'electrons.
Reflectometria. |
Caracterització microscòpica |
Paràmetres generals d'una microscòpia.
Microscòpia òptica.
Microscòpia electrònica.
Microscòpia electrònica de rastreig (SEM): imatges, espectres (EDS, WDS, Auger).
Microscòpia electrònica de transmissió (TEM): mode imatge, mode de difracció d'electrons, SAD, anàlisis elementals, alta resolució (HREM).
STEM.
EELS.
Microscòpia nanomètrica: microscopi d'efecte tunel per nano-rastreig (STM), microscopi de força atòmica per nano-rastreig (AFM). |
Caracterització per fotoelectrons. |
Problemes fonamentals de les espectroscòpies quantitatives. Efecte matriu. Necessitat de patrons.
Espectròmetre de fotoelectrons per raigs-X. (ESCA o XPS).
Espectroscòpia d'electrons Auger. |
Caracterització per anàlisi d'ions. |
Espectroscòpia de masses d'ions secundaris (SIMS).
Millores respecte els SIMS disponibles. |
Caracterització fotònica. |
El·lipsometria i polarimetria.
Fluorescència de raigs-X.
Espectroscòpia d'infrarroig. FTIR.
Espectroscòpia Raman. |
Metodologies :: Proves |
|
Competències |
(*) Hores a classe |
Hores fora de classe |
(**) Hores totals |
Activitats Introductòries |
|
1 |
0 |
1 |
|
Sessió Magistral |
|
30 |
30 |
60 |
Pràcticum |
|
15 |
15 |
30 |
Resolució de problemes, exercicis a l'aula ordinària |
|
15 |
15 |
30 |
Treballs |
|
0 |
30 |
30 |
|
Atenció personalitzada |
|
1 |
0 |
1 |
|
Proves pràctiques |
|
1 |
0 |
1 |
|
(*) En el cas de docència no presencial, són les hores de treball amb suport vitual del professor. (**) Les dades que apareixen a la taula de planificació són de caràcter orientatiu, considerant l’heterogeneïtat de l’alumnat |
Metodologies
|
Descripció |
Activitats Introductòries |
Introducció general de l'assignatura i oportunitat de conèixer l'alumnat. |
Sessió Magistral |
Exposició dels fonaments, de les principals característiques i de les aplicacions de les diferents tècniques de caracterització. |
Pràcticum |
Hi haurà un total de 8 visites a diferents equipaments de caracterització de materials situats a l'àmbit de Catalunya i òbviament relacionats amb el temari. |
Resolució de problemes, exercicis a l'aula ordinària |
Es plantejaran exemples de resolució de problemes relacionats amb casdos de caracterització (interpretació de resultats, etc.). |
Treballs |
L'alumne haurà de fer un treball personalitzat sobre caracterització, o bé en la línia de caracterització d'una mostra concreta o l'estudi d'una nova tècnica de caracterització. |
|
Pràcticum |
Resolució de problemes, exercicis a l'aula ordinària |
Treballs |
Atenció personalitzada |
|
Descripció |
Atenció contínua als alumnes, per a resoldre els problemes que tinguin en relació a l'assignatura i les dificultats d'adaptació, si n'hi ha, en funció dels estudis de procedència. |
|
|
Descripció |
Pes |
Pràcticum |
Les visites als equipaments durant el curs poden incidir en part de la qualificació per mitjà de l'actitud i la implicació de l'alumne (preguntes, etc...) |
0-25 |
Resolució de problemes, exercicis a l'aula ordinària |
Els alumnes hauran d'entregar els problemes proposats, per a la posterior correcció per part del professor. |
10-35 |
Treballs |
L'avaluació del treball acabat i del procés seguit per a fer-lo, juntament amb l'avaluació de l'esposició en públic d'aquest, implicarà una qualificació per la nota final. |
15-35 |
Proves pràctiques |
Això és la qualificació de l'exposició del treball ja comentada a l'apartat anterior. |
10-25 |
|
Altres comentaris i segona convocatòria |
|
Bàsica |
|
· Semiconductor Science: growth and characterization techniques, T.E.Jenkins. Ed. Prentice-Hall ( UK ) 1995.
· Structural and chemical Analysis of Materials, X-ray and neutron diffraction, X-ray, electron and ion spectroscopy. Electron microscopy, J.P.Eberhart. Ed. John Wiley & sons ( UK ) 1991.
· Surface and thin Film Analysis, a compendium of principles, instrumentation and applications. H.Bubert and H.Jenett. Ed. Wiley-VCH ( Germany ) 2002.
· Scanning and Transmission Electron Microscopy: an introduction. S.L. Fleger, J.W.Heckman Jr, K.L. Klomparens.Oxford University Press ( New York ) 1993.
· Introductory Raman spectroscopy. J.R. Ferraro, K.Nakamoto,
Academic Press ( San Diego ) 1994.
· Images of materials. D.B.williams, A.R.Pelton, R. Gronsky. Oxford University Press ( New York ). 1991. |
Complementària |
|
|
|