Tipus A
|
Codi |
Competències Específiques |
|
Recerca |
|
AR1 |
Conèixer els processos de disseny, fabricació i verificació de sistemes microelectrònics en general i sistemes MEMS o amb sensors en particular. |
|
AR2 |
Entendre les especificacions d'un sistema electrònic amb dispositius semiconductors, sensosr i/o MEMS. |
|
AR3 |
Aplicar les tècniques bàsiques de modelització de circuits electrònics de potència. |
Tipus B
|
Codi |
Competències Transversals |
|
Comú |
|
BC1 |
Creativitat. Desenvolupar idees i projectes originals |
|
BC2 |
Treballar autònomament amb iniciativa |
|
BC3 |
Flexibilitat. Disponibilitat per a l’adaptació en ambients canviants |
|
BC4 |
Resoldre problemes de manera efectiva |
|
BC6 |
Actuar amb un esperit crític i responsable |
|
BC7 |
Considerar l’ètica i la integritat intel·lectual com a valors essencials a la pràctica professional |
|
BC8 |
Autoestima professional. Comprendre el valor del propi coneixement i del seu impacte a la societat/comunitat |
|
BC10 |
Lideratge |
|
BC11 |
Treballar en equip i gestionar equips |
|
BC12 |
Asertivitat. Comunicar de manera clara i sense ambigüitats tant a audiències expertes com no expertes |
|
BC13 |
Aprendre a aprendre |
|
BC14 |
Planificació i organització |
|
BC15 |
Promoure una actitud orientada a la motivació per la qualitat |
Tipus C
|
Codi |
Competències Nuclears |
|
Comú |
|
CC1 |
Domini de l’expressió i la comprensió del/s idioma/es estrangers per al desenvolupament professional derivat del curs del postgrau. |
|
CC2 |
Ús de les eines específiques de TIC per al desenvolupament professional derivat del curs de postgrau. |
|
CC3 |
Desenvolupament d’una perspectiva global del món en l’àrea específica on s’ubica el postgrau |
|
CC4 |
Desenvolupament d’habilitats informacionals |
|
CC5 |
Gestió del temps per al desenvolupament acadèmic i professional |
Objectius |
Competències |
Realitzar una recopilació bibliogràfica i la defensa pública dels resultats |
AR1 AR2
|
BC1 BC2 BC3 BC4 BC6 BC7 BC8 BC12 BC13 BC14 BC15
|
CC1 CC2 CC4 CC5
|
Conèixer l'origen de les propietats elèctriques i òptiques dels semiconductors, així com les seves limitacions. |
AR1 AR2
|
BC2 BC3 BC4 BC6 BC8 BC13 BC14 BC15
|
CC1 CC2 CC3 CC4 CC5
|
Aplicar els coneixements a una problemàtica concreta |
AR1 AR2 AR3
|
BC1 BC2 BC3 BC4 BC6 BC7 BC8 BC10 BC11 BC12 BC13 BC14 BC15
|
CC1 CC2
|
Tema |
Subtema |
Introducció |
Conceptes fonamentals |
Electrons en sòlids i en semiconductors |
Propietats estructurals dels semiconductors, Estructura de bandes |
Dinàmica de portadors en semiconductors |
Fenòmens de transport, Propietats elèctriques |
Unions elèctriques |
Unions de semiconductors amb metalls, aillants i semiconductors |
Fotons en semiconductors |
Propietats òptiques |
Tecnologies de fabricació |
Processos tecnològics bàsics |
Metodologies :: Proves |
|
Competències |
(*) Hores a classe |
Hores fora de classe |
(**) Hores totals |
Activitats Introductòries |
|
1 |
0 |
1 |
|
Presentacions / exposicions |
|
5 |
15 |
20 |
Sessió Magistral |
|
32 |
32 |
64 |
Resolució de problemes, exercicis |
|
5 |
7.5 |
12.5 |
Pràctiques a través de TIC en aules informàtiques |
|
15 |
30 |
45 |
|
Atenció personalitzada |
|
5 |
0 |
5 |
|
Proves de Desenvolupament |
|
1 |
0 |
1 |
Proves objectives de tipus test |
|
1 |
0 |
1 |
|
(*) En el cas de docència no presencial, són les hores de treball amb suport vitual del professor. (**) Les dades que apareixen a la taula de planificació són de caràcter orientatiu, considerant l’heterogeneïtat de l’alumnat |
Metodologies
|
Descripció |
Activitats Introductòries |
A realitzar pel professorat |
Presentacions / exposicions |
Cada alumne/a desenvoluparà un treball específic sota la supervisió del professorat. Hi haurà una memòria escrita i una presentació oral. |
Sessió Magistral |
A realitzar pel professorat. Es desenvoluparà el temari segons la programació prevista. |
Resolució de problemes, exercicis |
Hi haurà una col·lecció d'exercicis, alguns d'ells resolts. En aquestes sessions es comentaran els dubtes de l'alumnat. |
Pràctiques a través de TIC en aules informàtiques |
Cada alumne/a realitzarà una simulació específica sota la supervisió del professorat. |
|
Resolució de problemes, exercicis |
Atenció personalitzada |
|
Descripció |
Prèvia cita per part de l'alumnat, es concertaran entrevistes per resoldre els dubtes o per fer seguiment individualitzat |
|
|
Descripció |
Pes |
Presentacions / exposicions |
Avaluació del contingut i la metodologia de la presentació |
20 |
Pràctiques a través de TIC en aules informàtiques |
Avaluació dels resultats |
30 |
Proves de Desenvolupament |
Ressolució de problemes |
30 |
Proves objectives de tipus test |
test |
20 |
|
Altres comentaris i segona convocatòria |
L'assistència a les sessions de pràctiques de laboratori és obligatòria |
Bàsica |
J. Singh, Electronic and Optoelectronic properties of Semiconductors Structures, 1, Cambridge
S.M.Sze, Physics of semiconductor devices, 2, J. Wiley and Sons
B. Sapoval, C. Hermann, Physics of semiconductors, 1, Springer
J. Singh, Semiconductor devices, Basic principles, 1, J. Wiley and Sons
K.F. Brenan, The Physics of Semiconductors, 1, Cambridge
|
|
Complementària |
|
|
Assignatures que en continuen el temari |
FÍSICA DE MICROSISTEMES/175101208 | TECNOLOGIA DE MICROSISTEMES/175101207 | DISPOSITIUS OPTOELECTRÒNICS I FOTÒNICS/175101206 | DISPOSITIUS SEMICONDUCTORS/175101205 |
|
Assignatures que es recomana cursar simultàniament |
MATERIALS ELECTRÒNICS/175101105 |
|
|