| Competències |
| Tipus A | Codi | Competències Específiques |
| Professionalitzador | ||
| Recerca | ||
| AR1 | Conèixer els processos de disseny, fabricació i verificació de sistemes microelectrònics en general i sistemes MEMS o amb sensors en particular. | |
| AR2 | Entendre les especificacions d'un sistema electrònic amb dispositius semiconductors, sensosr i/o MEMS. | |
| AR4 | Avaluar diferents alternatives d'implementació d'un sistema MEMS i escollir-ne la més apropiada en funció de les especificacions del problema. | |
| AR6 | Dissenyar i implementar microsistemes que compleixin unes especificacions prefixades. | |
| AR9 | Planificar i realitzar la caracterització d'un sistema MEMS. | |
| AR10 | Validar les especificacions d'un sistema MEMS. | |
| Tipus B | Codi | Competències Transversals |
| Comú | ||
| BC1 | Creativitat. Desenvolupar idees i projectes originals | |
| BC4 | Resoldre problemes de manera efectiva | |
| Tipus C | Codi | Competències Nuclears |
| Comú | ||
| Objectius d'aprenentatge |
| Objectius | Competències | ||
| Coneixer els diferents tipus de dispositius semiconductors | AR1 AR2 |
||
| Entendre els seu funcionament i les seves característiques | AR2 AR4 AR9 AR10 |
||
| Aplicacions dels dispositius semiconductors | AR2 AR4 AR6 |
BC1 BC4 |
|
| Continguts |
| Tema | Subtema |
| Introducció al dispositius semiconductors | Física i propietats del semiconductors |
| Unions semiconductores | Unió semiconductor-semiconductor Unió semiconductor-metall Unió semicondcutor-aïllant-metall |
| Dispositius unipolars | JFET MESFET MOSFET |
| Dispositius bipolars | Diodes d'homounió i heterounió Transistor bipolar d'homounió (BJT) Transsitor bipolar d'heterounió (HBT) |
| Dispositius microones | Tunnel diodes IMMPATT diodes BARITT diodes Gunn diodes |
| Dispositius fotònics | LED LASER Fotodetectors Cèl·lules solars |
| Dispositius de potència | Diodes Tristors IGBTs MOSFETs |
| Introducció al programa ATLAS | ATLAS es un programa de simulació bidimensional i tridimensional de dispositius electrònics i optoelectrònics. Permet fer simulacions AC, DC, tèrmiques, transitoris, etc. |
| Simulació de dispositius amb ATLAS | Diode d'heterounió LED Fotodetector Cèl·lula solar TFTamorf Transistor bipolar |
| Treball de simulació d'un dispositiu optoelectrònic | S'escollira un dispositiu a simular i es realitzar l'analisi del seu comportament i les seves característiques. Es farà un informe i s'exposarà els resultats. |
| Planificació |
| Metodologies :: Proves | |||||||||
| Competències | (*) Hores a classe | Hores fora de classe | (**) Hores totals | ||||||
| Activitats Introductòries |
|
1 | 1 | 2 | |||||
| Sessió Magistral |
|
14 | 21 | 35 | |||||
| Resolució de problemes, exercicis a l'aula ordinària |
|
4 | 8 | 12 | |||||
| Pràctiques a través de TIC en aules informàtiques |
|
14 | 21 | 35 | |||||
| Presentacions / exposicions |
|
2 | 4 | 6 | |||||
| Atenció personalitzada |
|
4 | 0 | 4 | |||||
| Proves de desenvolupament |
|
1 | 1 | 2 | |||||
| Proves objectives de tipus test |
|
1 | 1 | 2 | |||||
| Proves orals |
|
1 | 1 | 2 | |||||
| (*) En el cas de docència no presencial, són les hores de treball amb suport vitual del professor. (**) Les dades que apareixen a la taula de planificació són de caràcter orientatiu, considerant l’heterogeneïtat de l’alumnat | |||||||||
| Metodologies |
| Descripció | |
| Activitats Introductòries | Presentació de l'assignatura |
| Sessió Magistral | Exoposició dels continguts teorics de l'assignatura i la seva discussió |
| Resolució de problemes, exercicis a l'aula ordinària | Resolució d'exercicis per pràcticar els conceptes exposats a l'aula |
| Pràctiques a través de TIC en aules informàtiques | Pràctiques amb el simulador ATLAS en una aula informàtica |
| Presentacions / exposicions | Exposar els resultats obtiguts en les simulacions amb ATLAS. Discussió dels resultats i la presentació. |
| Atenció personalitzada |
|
|
| Avaluació |
| Descripció | Pes | ||
| Resolució de problemes, exercicis a l'aula ordinària | Excercicis | 30% | |
| Pràctiques a través de TIC en aules informàtiques | Treball de simulació | 70% | |
| Altres comentaris i segona convocatòria | |||
| Fonts d'informació |
| Bàsica |
, , ,
S,M. Sze, 1. Physics of semiconductor devices, 2nd Ed. John Wiley & Sons, 1981
S,M. Sze, 2. Semiconductor devices, Physics and technology, 2nd ed. John Wiley & Sons, 2001
Jasprit Singh, 3. Semiconductor devices, Basic principles, Ed. John Wiley & Sons, 2001
K. F. Brennan, 4. Introduction to semiconductor devices, Cambridge University Press, 2005
Kwnok K. Ng, 5. Complete guide to semiconductor, 2nd Ed. IEEE Wiley-Interscience, 2002 |
||||||||
| Complementària | |||||||||
| Recomanacions |
(*)La Guia docent és el document on es visualitza la proposta acadèmica de la URV. Aquest document és públic i no es pot modificar, llevat de casos excepcionals revisats per l'òrgan competent/ o degudament revisats d'acord amb la normativa vigent