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Type A
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Code |
Competences Specific |
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Research |
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Type B
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Code |
Competences Transversal |
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Research |
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Type C
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Code |
Competences Nuclear |
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Research |
| Objectives |
Competences |
| Esta asignatura pretende que los alumnos obtengan una perspectiva de la evolución de la microelectrónica a la nanoelectrónica con especial atención a aplicaciones concretas a los nanosistemas, y en especial a los nanoelectromecánicos (NEMs). Los alumnos deben de ser capaces de identificar la evolución de los dispositivos elementales, por ejemplo el MOSFET, y su proyección de futuro; conocer cuáles son sus limitaciones y también conocer los dispositivos más importantes basados en los efectos cuánticos. En cuanto a los NEMs, estos aúnan funciones que les permiten la captación de información mediante dispositivos sensores, el procesado de la señal y la capacidad de actuación y control. Se pretende destacar cómo la reducción de escala de estos elementos ofrece nuevos paradigmas, y como la reducción de las dimensiones abre la posibilidad a nuevas propiedades y potencialidades. |
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| Topic |
Sub-topic |
| 1. Evolución de la microelectrónica. |
a. El circuito integrado y la microelectrónica
b. Evolución en complejidad de microprocesadores y memorias
c. Tecnologías submicrónicas |
| 2. Escalado de las tecnologías y MOSFETs de dimensiones nanométricas. |
a. Escalado del MOSFET. Efectos de canal corto
b. Tecnologías de fabricación y sus limitaciones |
| 3. Sistemas mesoscópicos y de baja dimensionalidad. |
a. Estructura de bandas y transporte en varias dimensiones
b. Fluctuaciones y efecto Aharonov-Bohm
c. Transporte balístico y fenómenos de bloqueo de Coulomb
d. Propiedades ópticas de sistemas de baja dimensionalidad |
| 4. Dispositivos basados en efectos cuánticos. |
a. Dispositivos de un electrón
b. Dispositivos basados en el efecto túnel resonante
c. LEDs y LASERs de pozos, hilos y puntos cuánticos |
| 5. De los sistemas MEMs a los NEMs. |
a. Bases de los sistemas NEMS: nanoelectromecánica
b. Nuevos efectos en los sistemas NEMS |
| 6. Nanopalancas y nanoresonadores. |
a. Fabricación y caracterización
b. Aplicaciones: procesado de señal y sensores de masa |
| Methodologies :: Tests |
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Competences |
(*) Class hours |
Hours outside the classroom |
(**) Total hours |
| Introductory activities |
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0 |
0 |
0 |
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| Lecture |
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20 |
0 |
20 |
| Laboratory practicals |
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6 |
0 |
6 |
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| Personal tuition |
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0 |
0 |
0 |
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(*) On e-learning, hours of virtual attendance of the teacher.
(**) The information in the planning table is for guidance only and does not take into account the heterogeneity of the students. |
Methodologies
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Description |
| Introductory activities |
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| Lecture |
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| Laboratory practicals |
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Description |
Weight |
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Other comments and second exam session |
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| Basic |
M.J. Kelly, Low-dimensional semiconductors. Materials, Physics, Technology and Devices, Oxford Science Publications,
S.M. Sze (Ed.), Modern Semiconductor Device Physics, John Wiley and Sons,
S. Luryi, A. Zaslavsky (Eds.), Future Trends in Microelectronics: Reflections on the road to nanotechnology, Kluwer Editions,
S. Sugano, H. Koizumi, Mesoscopic Physics, Springer Verlag Series on Materials Science,
S.D. Senturia, Microsystem design, Kluwer Academic, 2001
M. Wilson et al., Nanotechnology: basic science and emerging technologies, Chapman&Hall/CRC, 2002
A. N. Cleland, Foundations of nanomechanics: from solid-state theory to device applications, Springer Verlag, 2002
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| Complementary |
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| Other comments |
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Los alumnos han de tener previamente conocimientos básicos de electrónica y dispositivos MOS. |
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